近日，韩国媒体《Newdaily》报道称，中国存储器半导体企业可能在两年内实现第五代高带宽存储器（HBM3E）的量产。报道指出，受美国出口管制影响，中国加速自主存储技术研发，并成功实现了DDR5量产。在中国国内AI投资热潮的推动下，存储需求快速增长，韩国媒体预测中国或将对韩国在全球存储领域的领先地位构成挑战。

具体来看，报道中提到，中国某头部存储厂商有望在2027年量产HBM3E；同时，长鑫存储已采用15纳米制程开始生产最新一代DRAM DDR5。这一系列动态让韩国存储产业感受到一定压力。

不过，事实真的如此吗？国产HBM和DDR5是否已具备威胁、SK海力士的实力？答案显然是否定的。无论从技术水平、产品成熟度还是市场份额来看，三星和SK海力士仍稳居全球存储半导体市场主导地位。

从最新进展来看，国际主流标准制定机构JEDEC刚刚发布了HBM4标准。作为HBM3的升级版，HBM4在带宽、能效及容量等方面均实现了进一步提升。而在HBM4领域，三星、SK海力士及美光三大巨头早已展开布局：

SK海力士已宣布将在2024年下半年量产HBM4 12Hi产品，且HBM4测试良率已提升至70%，高于行业预期。SK海力士目前是英伟达主要的HBM供应商，并已向其交付HBM3E 12Hi及HBM4样品。三星电子紧随其后，预计将在今年第二季度开始供应HBM3E 12Hi，2025年下半年批量生产HBM4芯片。美光科技相对进度稍慢，预计将在2026年实现HBM4量产。根据美光CEO Sanjay Mehrotra的表态，美光HBM4产品在带宽上将比HBM3E提升60%以上。

综合三大巨头的布局情况，当前HBM3E已经在规模量产，HBM4则将在2025年进入大规模应用。而国产厂商，即便顺利推进，HBM3E也至少要到2027年才能实现量产，且在HBM4方面尚无明确研发节点。换言之，国产在HBM领域整体落后全球领先水平2-3年以上。韩国媒体所谓“中国威胁论”，更像是一种夸大的“捧杀”策略。

在DRAM领域，国产厂商虽然取得突破，例如长鑫存储采用15nm制程量产DDR5，但与国际巨头相比仍有代差。三星已进入10nm级第六代（1c）DRAM研发阶段，SK海力士也已量产第六代（1b）DRAM。工艺节点上，国产厂商仍落后至少一代以上。

从市场份额来看，全球存储市场仍然由“三巨头”高度垄断。据Counterpoint Research数据显示，2025年第一季度全球DRAM市场份额为：

SK海力士：36%三星电子：34%美光科技：25%

三者合计占据全球DRAM市场约95%的份额。而在高端的HBM市场，SK海力士市占率高达70%，三星约20%，其余由美光及其他厂商瓜分。国产厂商在全球高端市场的存在感仍然有限。

总体来看，虽然国产存储产业在快速进步，但要真正缩小与全球领先企业的差距，仍需时间与技术积累。韩国媒体渲染“威胁论”，更多是出于产业竞争下的焦虑，而非现实的市场变局。

未来，国产厂商唯有在技术创新、量产能力、市场开拓上持续突破，方能真正站上全球竞争舞台。